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罗姆推出650VIGBT实现业界领先的低损耗特性
文章来源：盖世汽车
发布时间：2026-08-28 03:21
阅读量：14793
盖世汽车讯 据外媒报道，罗姆半导体宣布，已开发出第四代650V IGBT，适用于汽车电动压缩机、高压加热器以及工业设备逆变器等应用。作为车规级650V产品，新款IGBT在VCE(sat)=1.55V时实现了同类领先的低导通损耗，同时具备高短路容差，并符合AEC-Q101汽车可靠性标准。
随着电动汽车向更高电压发展，碳化硅在牵引逆变器等高功率应用中的应用日益广泛。与此同时，650V IGBT也被广泛用作低功率辅助系统的开关器件，例如汽车电动压缩机和高压加热器。硅基IGBT也广泛应用于工业设备，特别是电机和压缩机，预计市场需求将持续增长。
这些应用需要更高的节能效果和更小的设备设计，因此对具有更高可靠性、更小尺寸和更高效率的功率器件有着强劲的需求。特别是，逆变器和加热器电路需要足够的短路容限，以承受短路期间检测和中断过电流所需的时间。
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